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公司基本資料信息
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搭建集成電路教學(xué)測試平臺需要哪些儀器呢？認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六
本科生集成電路實驗?zāi)康?/strong>
通過實驗動手操作，加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。
本科生集成電路實驗目錄
實驗一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗
本科生集成電路實驗平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計，有專人維護支持，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求
本科生集成電路實驗基本功能
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實驗名稱 |
測試參數(shù) |
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金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的IV特性測試實驗 |
l 輸出特性曲線 l 轉(zhuǎn)移特性曲線 l 跨導(dǎo)gm l 擊穿電壓BVDS |
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四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
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l 四探針法電阻率ρ l 材料阻值R |
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MOS電容的CV特性測試實驗（低頻 + 高頻） |
l CV特性曲線 |
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半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗 |
l 霍爾電壓VH l 霍爾電阻率ρ l 霍爾系數(shù)RH l 載流子濃度n l 霍爾遷移率u |
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激光二極管LD的LIV特性測試
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l LIV特性曲線 l 閾值電流Ith l 閾值電流對應(yīng)電壓值Vth l 拐點Kink l 線性電阻Rs |
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太陽能電池的特性表征
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l 開路電壓Voc l 短路電流Isc l 功率最大值Pmax l 填充因子FF l 轉(zhuǎn)換效率η l 串聯(lián)電阻Rs l 旁路電阻Rsh |
本科生集成電路實驗平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）
普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進器件和材料測試需求
交流測試使用LCR表
探針臺：4寸或6寸手動探針臺
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單位名稱：武漢普賽斯儀表有限公司
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