MDSDP110 智能單晶硅差壓變送器 采 用美國、德國先進(jìn)的 MEMS 技術(shù)制成 的單晶硅傳感器芯片、全球獨創(chuàng)的單晶硅 雙梁懸浮 式設(shè)計，實現(xiàn)了國際領(lǐng)先的高準(zhǔn) 確度、超高過壓性能優(yōu)異的穩(wěn)定性。內(nèi)嵌 德國信號處理模塊，實現(xiàn)靜壓與溫度補償?shù)?完美結(jié)合，可在大范圍內(nèi)的靜壓和溫度變化 下提 供極高的測量精度和長期穩(wěn)定性。 MDSDP110 智能單晶硅差壓（流量） 變送器能準(zhǔn)確的測量差壓，并把它轉(zhuǎn)換成 4~20mA DC 的輸出信號。該變送器可通 過三按鍵本地操作，或通用手操器、組態(tài) 軟件操作，在不影 響 4~20mA DC 的輸出 信號的同時，進(jìn) 行顯示與組態(tài)。

 MDSDP100智能差壓變送器，用于測量液體、氣體或蒸汽 的液位、密度與壓力，然后將其轉(zhuǎn)變成4~20mADC的電 流信號輸出?？赏ㄟ^三按鍵本地操作，也可以通過手操器、 modem互相通信，進(jìn)行參數(shù)設(shè)定、監(jiān)控等。

標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格 以標(biāo)準(zhǔn)零點為基準(zhǔn)調(diào)校量程，接液部分材質(zhì)316L、充灌液 為硅油。

性能規(guī)格

1.調(diào)量程的參考精度   

±0.075% (包括從零點開始的線性、滯后性和重復(fù)性）

2.零點、量程調(diào)校 可通過變送器外殼頂部三按鍵進(jìn)行現(xiàn)場調(diào)校，亦可通過 手持終端遠(yuǎn)程調(diào)校。

環(huán)境溫度影響 

1.總影響量/28℃（50℉)   

?M1、M2和M3 ±[0.07%量程+0.015%量程上限]

?M4、M5和M6 ±[0.07%量程+0.03%量程上限]

2.靜壓影響

?M1和M2膜盒  ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa

?M3和M4膜盒  ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa

?M5和M6膜盒  ±[0.07%量程+0.028%量程上限]/6.9MPa

3.過壓影響 ±0.05%量程上限/16MPa

4.穩(wěn)定性

?M1、M2和M3   ±0.05%量程上限/12個月

?M4、M5和M6   ±0.05%量程上限/12個月

5.電源影響       

±0.005%/V

安裝位置影響

與膜片面平行方向的安裝位置變化不會造成零漂響，若安 裝位置與膜片面超過90°的變化，在0.4KPa(1.6inH2O)范 圍內(nèi)的零漂可通過調(diào)零校正。

輸 出

2 線制，4~20mADC輸出，HART數(shù)字通訊，可選擇線性 或平方根輸出方式。

HART協(xié)議加載在4~20mADC信號上。

飽和&報警電流

1.飽和電流   

?上限輸出:  20.8mA   

?下限輸出:  3.8mA

2.報警電流   

?上限輸出:  22.8mA   

?下限輸出:  3.6mA    (模式可設(shè)置）

阻尼時間常數(shù)

總阻尼時間常數(shù)等于放大器部件和膜盒的阻尼時間常數(shù)之 和。時間常數(shù)可在0~99.9s內(nèi)調(diào)整。

環(huán)境溫度 

-40~+85℃

-20~+70℃（帶液晶顯示表頭）

工作壓力(硅油）

膜盒             額定工作壓力

M1                  25MPa

M2                  25MPa

M3                  25MPa

M4                  25MPa

M5                  25MPa

M6                  25MPa