品 名

技術(shù)要求

太陽能級(jí)單晶硅片

1、規(guī)格型號(hào)：P型,摻雜劑:硼(B)

2、尺寸：125*125±0.5mm

3、對(duì)角長(zhǎng)度：165mm±0.5mm

4、厚度：200±20μｍ

5、中心厚度：≥185μｍ

6、電阻率：1~3Ωcm

7、少子壽命：≥10μｓ

8、損傷層：<15μｍ

9、位錯(cuò)密度：≤3×10³個(gè)atoms/cm³

10、徑向電阻率變化:＜15%

11、切割方式：多線切割90°

12、總厚度變化(TTV)：≤30μｍ

13、垂直度：90±0.3°

14、垂直度變化: ≤0.5mm

15、晶向：<100>±2°

16、碳含量：≤5*10¹⁶atoms/cm³

17、氧含量：≤1*10¹⁸atoms/cm³

18、翹曲度：≤40μｍ