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公司基本資料信息
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產(chǎn)品特點（Product Features):
? Fast 35 ns Read/Write Cycle
? SRAM Compatible Timing Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
? Unlimited Read & Write Endurance
? Data Always Non-volatile for >20-years at Temperature
? One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBRAM in System for Simpler, More Efficient Design
? Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, reliability, and liability issues
? 3.3 Volt Power Supply
? Automatic Data Protection on Power Loss
? Commercial, Industrial, and Automotive Temperatures
? RoHS-Compliant SRAM-compatible TSOPII Package
? RoHS-Compliant SRAM-compatible BGA Package Shrinks Board Area By Three Times
產(chǎn)品系列（Product Family）：
Part Number （型號） |
Description （描述） |
OperatingTemperature (操作溫度） |
| MR2560A08BYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Commercial |
| MR2560A08BYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Commercial |
| MR2560A08BMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Commercial |
| MR2560A08BCYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Industrial |
| MR2560A08BCYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Industrial |
| MR2560A08BCMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Industrial |
| MR2560A08BMYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Automotive |
| MR2560A08BMYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Automotive |
| MR2560A08BMMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Automotive |
產(chǎn)品pin腳定義（Pin Diagrams ）：
美國Everspin半導(dǎo)體中國區(qū)指定代理 MRAM(非易失性存儲器）
我司是美國Everspin半導(dǎo)體中國區(qū)指定代理.
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，
來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材
料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。
主要代理MRAM（非易失性存儲器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量
我司產(chǎn)品可完全替代FRAM(鐵電存儲器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要請隨時和我們聯(lián)系.
如以下型號：
CY14V101LA
CY14C101I CY14B256Q CY14B104K
FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08
FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01
FM24V02
