13798240422 何翔先生 

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體

無錫華晶600V/650V系列MOS管（電源專屬）：

1N60，2N60，4N60，4N65，5N60，6N60，7N60(日光燈，球泡燈)

8N60，10N60，12N60，20N60，2N65，8N65，10N65（開關(guān)電源系列）

1N60，2N60，4N60主要特性參數(shù)Features：

Fast Switching

Low ON Resistance(Rdson≤15Ω)

Low Gate Charge (Typical Data:5.0nC)

Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.7pF)

100% Single Pulse avalanche energy Test

1.華晶600V高壓系列的漏源擊穿電壓BVDS=600V：在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS 

2.華晶最大穩(wěn)定漏源電流Id根據(jù)型號(hào)&封裝的芯片大小有：0.8A，1A，1.2A, 1.5A, 2A

3.開啟電壓（又稱閾值電壓）Vgs（th）：華晶N溝道增強(qiáng)型MOS管，通過工藝上的改進(jìn)，Vgs（th）約為2-4V

源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓

4.導(dǎo)通電阻RON ：對(duì)華晶的NMOS管而言，RON的數(shù)值9-12Ω之間

導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)，

5.華晶600V高壓系列的柵源擊穿電壓BVGS=+/-20V，+/-30V

在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

6.低頻跨導(dǎo)gm :0.7S（1N60），1.0S(2N60): 柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力很強(qiáng)，MOS管放大能力很好

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)