電容使用的常見誤區(qū)

 很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。

 且不說電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本的同時(shí)還影響空氣流動(dòng)和散熱

ESR越低，效果越好？

 相對(duì)容量的要求，對(duì)ESR的要求可以適當(dāng)?shù)慕档?。因?yàn)檩斎腚娙葜饕悄蛪海浯问俏誐OSFET的開關(guān)脈沖。

 對(duì)于輸出電容來說，耐壓的要求和容量可以適當(dāng)?shù)慕档鸵稽c(diǎn)。ESR的要求則高一點(diǎn)，因?yàn)檫@里要保證的是足夠的電流通過量。

 但這里要注意的是ESR并不是越低越好，低ESR電容會(huì)引起開關(guān)電路振蕩。

 而消振電路復(fù)雜同時(shí)會(huì)導(dǎo)致成本的增加。板卡設(shè)計(jì)中，這里一般有一個(gè)參考值，此作為元件選用參數(shù)，避免消振電路而導(dǎo)致成本的增加。

 電容器的運(yùn)作依據(jù)是什么

  這得從電容器的布局上說起。最簡(jiǎn)略的電容器是由兩端的極板和中間的絕緣電介質(zhì)（包羅氛圍）構(gòu)成的。

   通電后，極板帶電，形成電壓（電勢(shì)差），但是由于中間的絕緣物質(zhì)，以是整個(gè)電容器是不導(dǎo)電的。

  不外，這樣的環(huán)境是在沒有高出電容器的臨界電壓（擊穿電壓）的前提條件下的。

   我們知道，任何物質(zhì)都是相對(duì)絕緣的，當(dāng)物質(zhì)兩端的電壓加大到肯定程度后，物質(zhì)是都可以導(dǎo)電的，我們稱這個(gè)電壓叫擊穿電壓。

   電容也不例外，電容被擊穿后，就不是絕緣體了。不外在中學(xué)階段，這樣的電壓在電路中是見不到的，以是都是在擊穿電壓以下事情的，可以被當(dāng)做絕緣體看。

   但是，在交換電路中，因?yàn)殡娏鞯钠蚴请S時(shí)間成肯定的函數(shù)干系變革的。

   而電容器充放電的進(jìn)程是偶然間的，這個(gè)時(shí)間，在極板間形成變革的電場(chǎng)，而這個(gè)電場(chǎng)也是隨時(shí)間變革的函數(shù)。實(shí)際上，電流是議決場(chǎng)的情勢(shì)在電容器間議決的。

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 薄膜電容器市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)

  為了阻止開關(guān)模式電源濾波市場(chǎng)從標(biāo)準(zhǔn)的5毫米PET薄膜電容器轉(zhuǎn)向表面貼裝多層陶瓷貼片電容器，薄膜電容器產(chǎn)業(yè)在1995年到2005年這十年間投資了數(shù)百萬(wàn)美元，以開發(fā)具有以下特性的薄膜貼片電容器：可以表面貼裝；能夠承受焊接溫度。

 價(jià)格與有引線的直流薄膜電容器市場(chǎng)相當(dāng)；提供基于薄膜的電容器的全部特點(diǎn)。

 SMD薄膜貼片電容器市場(chǎng)取得了明顯的增長(zhǎng)，這些主要采用聚苯硫醚電介材料的薄膜貼片電容，實(shí)現(xiàn)了上述四種特點(diǎn)，但平均單位價(jià)格較高。

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