英飛凌IGBT模塊

FF150R17KE4

技術(shù)參數(shù)：

? Ic(A),Tc=80℃          150

? Vce(sat),Max(V)        2.3

? Ton(us)                0.31

? Toff(us)               0.95

? Rth(j-c),K/W           0.135

? Pc(W)                  1100

? 封裝                  62mm

? 電路結(jié)構(gòu)               半橋

性能概要：

? 提高工作溫度T(vj op)

? 無可比擬的耐用性

? V（CESAT）具有正溫度系數(shù)

? 低V（CESAT）

? 4KV AC 1分鐘絕緣

? CTI>400

? 高爬電距離和電氣間隙

? 隔離底板

? 標(biāo)準(zhǔn)封裝

優(yōu)點(diǎn)：

? 靈活性

? 最佳的電氣性能

? 最高的可靠性

目標(biāo)應(yīng)用：

? 電機(jī)控制和驅(qū)動

? 風(fēng)能系統(tǒng)解決方案

高能效組件和子系統(tǒng)的系統(tǒng)的高可靠性

? 太陽能系統(tǒng)解決方案

對于完整的太陽能電力解決方案的主導(dǎo)產(chǎn)品

? 牽引